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隨著科技迅速發(fā)展，依托于汽車、電腦、手機(jī)及工業(yè)等應(yīng)用領(lǐng)域的電源產(chǎn)品也被應(yīng)用于更多方面。而在當(dāng)下電源市場，更小尺寸、更高功率的電源產(chǎn)品著實(shí)已成為商家競相追逐的風(fēng)向標(biāo)。全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造公司德州儀器（TI）作為不斷深耕集成電路（IC）及嵌入式處理器的研發(fā)者，**攜高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600V氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品組合亮相北京TI新聞發(fā)布會(huì)，為電源市場帶來了不少亮點(diǎn)。

GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。

在應(yīng)用GaN的的具體功率器件中，TI主推了LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070三款產(chǎn)品。它們的競爭優(yōu)勢在于：1、更小、更**的解決方案。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成GaN功率級(jí)可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個(gè)器件都具有快速的1MHz開關(guān)頻率和高達(dá)100V/ns的壓擺率。2、系統(tǒng)的可靠性。此系列產(chǎn)品組合接受了超過2000小時(shí)的包括加速和應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)的設(shè)備可靠性測試。并且，每個(gè)器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護(hù)，以防止直通和短路情況。3、每個(gè)功率級(jí)的設(shè)備配套服務(wù)。50mΩ或70mΩ條件下，本產(chǎn)品組合中的每個(gè)器件均提供一個(gè)GaN FET、驅(qū)動(dòng)器并提供保護(hù)功能，可為低于100W至10kW的應(yīng)用提供單芯片解決方案。

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